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    三星發布860QVO的升級版本——870QVO 得到口碑和性價比的雙豐收_啟哈號
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    三星發布860QVO的升級版本——870QVO 得到口碑和性價比的雙豐收

    2018年,三星發布了首款搭載QLC顆粒的固態硬盤860QVO,定位入門級硬盤領域,發布之后消費者對QLC固態硬盤的評價褒貶不一。經過一年的沉淀,三星發布了860QVO的升級版本——870QVO,1TB起步的起步容量以及最高8TB的超大容量,新QVO系列可以說得到了口碑和價比的雙豐收。

    不過對于一些用戶而言,他們認為固態硬盤使用QLC顆粒就是一種“退步”。那么QVO系列的推出,究竟是固態硬盤發展史的進步,還是開了一次“倒車”呢?這里不著急先下結論,我們一步步來進行分析。

    說在前面:QLC固態的使命,不是為了替代TLC

    首先我們再來回顧一下NAND閃存存儲的基本原理:存儲單元通過施加不同變化的電壓實現信息存儲。

    其實SLC/MLC/TLC/QLC顆粒的區別,就是按存儲單元可存放的數據量進行區分,TLC顆粒的一個cell單元可以存儲3bit信息,容量相比MLC顆粒增加1/3,擦寫壽命也降至1000-3000次。

    而QLC顆粒的一個cell單元可以存儲4bit信息,容量相比TLC顆粒再次增加1/3,但是寫入能、擦寫壽命同樣會相應減少。

    目前,TLC顆粒占據著固態硬盤顆粒市場的大頭,縱觀固態硬盤從SLC顆粒到TLC顆粒的發展歷程,我們很容易就能得出“QLC固態硬盤即將替代TLC硬盤”的結論。實際上,QLC固態的使命,并不是為了替代TLC固態,而是為了替代HDD硬盤。

    大容量存儲時代,QLC未來可期

    在QLC固態剛推出的時候,許多存儲廠商都將首發目標對準了企業級市場,而不是消費級,原因在于,NAND廠商把QLC顆粒的硬盤定位于大容量數據盤,用于取代企業級HDD硬盤的地位。

    一旦QLC閃存顆粒大規模量產,除了在連續讀取能上雖然不會領先HDD太多外,可以達到10-100TB的大容量,在連續讀取能上雖然不會領先HDD太多,但是隨機讀寫能力也可以遠超機械硬盤,這是固態硬盤的運行原理所決定的。

    同時相比待機功耗,QLC硬盤更是低上不少,因此在企業級大規模數據陣列的應用上,QLC固態硬盤可以說完勝HDD硬盤。

    那么QLC閃存是如何將容量大幅提升的呢?除了上面所提到的每個cell單元的存儲數據量上升之外,3D-NAND技術也是其中不可或缺的一環,它的原理是通過在同一個晶片上垂直堆疊多層存儲單元,通過堆棧更高的層數,實現更大的存儲密度。

    三星在3D-NAND閃存技術方面已經實現大規模成熟量產,此前首發的860QVO就已經實現單顆粒1TB容量,如今發售新一代870QVO甚至達到了最高8TB的存儲容量。

    隨著成本的降低,未來QLC固態硬盤將會進入TB起步的大容量時代,是真正可能取代HDD硬盤的選擇,對于普通用戶,最理想的使用場景就是使用一塊TLC的NVMe硬盤作為系統盤,大容量的QLC固態硬盤作為從盤(數據盤),這樣QLC閃存的優勢就能夠最大化的發揮了。

    3D-NAND:提升QLC可靠的良方

    部分用戶不看好QLC固態硬盤的普遍原因就在于QLC閃存的壽命。前面也提及到,由于先天技術原理的原因,QLC顆粒的能和可靠確實會有所降低。但是要知道,現在是屬于3D-NAND堆棧技術的時代。

    以往2D-NAND閃存想要追求容量提升,就需要依靠制程工藝,提高晶體管密度,就像一個房間里,所有人都變小了,才能裝得下更多人,因此那段時間NAND閃存的制程工藝一路飆升,從50nm不斷升級最終發展到10nm工藝制程,不過人太多也會“喘不過氣”,隨著2D-NAND閃存工藝的提升,由于閃存的特,其可靠會隨之降低。

    但是有了3D-NAND堆棧,情況就變得不一樣了,以三星870QVO為例子,其采用的都是堆棧90層以上V-NAND閃存顆粒,不僅容量變得更大,可靠也隨著堆棧層數的上升而提高,因此頂配的8TB版本的壽命高達2880TBW,這意味著即便一天讀寫1TB的數據,也可以用上接8年。

    即便主流消費者選擇的870QVO1TB版本,寫入壽命為360TBW,一般每天日常讀寫40G左右,同樣也能用上十幾二十年,所以關于壽命的問題,目前主流的QLC固態壽命,已經可以滿足大部分用戶的需求。

    新一代QVO的能到底如何?

    在新一代870QVO上市的時候,PConline評測室也對其進行了評測(三星870QVO4TB版評測:時隔一年,它還是那個QVO嗎?),新一代QVO系列的顆粒和主控都有進行升級,并且增加了8TB的超大容量選擇。

    讀寫能方面,雖然QLC閃存的連續讀寫能比HDD硬盤沒強上多少,但是可以通過智能TurboWrite技術,硬盤在數據傳輸過程中會創建一個固定空間的高能SLC寫緩沖區,大幅提高寫入速度。

    像三星870QVO4TB版本就擁有78G的動態SLC緩存空間,基本可以滿足日常的使用需求,可能有些小伙伴會擔心寫入放大的情況,實際上動態SLC緩存并不會對同一區塊進行反復擦寫,而是會智能選取,所以這是一項能與壽命兼顧的技術。

    總結:QLC固態的誕生,順應了時代潮流

    隨著時代發展和5G網絡的普及,未來我們對于大容量存儲的需求勢必進一步加大,而QLC固態硬盤的誕生正是順應了這股時代潮流,大容量、高隨機讀寫的特點無論在消費級還是企業級領域必然會有更廣闊的發揮空間。

    反之,現在HDD硬盤為了實現大容量,開始采用SMR(疊瓦式磁記錄)技術,在擦寫可靠方面的優勢已經不再,未來HDD硬盤被QLC硬盤所取代,可能只是時間問題了。


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